|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1507–1515
(Mi phts7438)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.
Радиационная стойкость планарных диодов Ганна с $\delta$-легированными слоями
Е. С. Оболенскаяa, А. Ю. Чуринa, С. В. Оболенскийa, А. В. Мурельb, В. И. Шашкинb a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 607680 Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Исследована радиационная стойкость планарных диодов Ганна. На основании результатов измерений импульсных вольт-амперных характеристик и компьютерного моделирования показано, что использование $\delta$-слоев легирующей примеси способствует повышению уровня радиационной стойкости планарных диодов на порядок по сравнению с обычными “объемными” диодами. Результаты работы позволили сформулировать методические указания, позволяющие сократить объем расчетно-экспериментальных исследований, без существенного снижения их информативности.
Поступила в редакцию: 22.04.2015 Принята в печать: 12.05.2015
Образец цитирования:
Е. С. Оболенская, А. Ю. Чурин, С. В. Оболенский, А. В. Мурель, В. И. Шашкин, “Радиационная стойкость планарных диодов Ганна с $\delta$-легированными слоями”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1507–1515; Semiconductors, 49:11 (2015), 1459–1467
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7438 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i11/p1507
|
|