Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1516–1520 (Mi phts7439)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Сверхизлучательное усиление терагерцового излучения при возбуждении плазмонных мод в инвертированном графене с планарным распределенным брэгговским микрорезонатором

О. В. Полищукa, В. В. Поповa, T. Otsujib

a Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 410019 Саратов, Россия
b Research Institute for Electrical Communication, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan
PDF полного текста (390 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Теоретически показано, что условие стимулированной генерации терагерцового излучения плазмонами в графене с планарным распределенным брэгговским резонатором может быть реализовано на двух различных частотах для каждой плазмонной моды. Такое поведение связано со сверхизлучательным характером коллективной плазмонной моды, вследствие чего радиационное затухание плазмонов растет суперлинейно с увеличением мощности накачки. В результате кривые зависимостей радиационного затухания и плазмонного усиления от мощности накачки пересекаются в двух точках, соответствующих разным режимам генерации.
Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 11, Pages 1468–1472
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615110172
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Полищук, В. В. Попов, T. Otsuji, “Сверхизлучательное усиление терагерцового излучения при возбуждении плазмонных мод в инвертированном графене с планарным распределенным брэгговским микрорезонатором”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1516–1520; Semiconductors, 49:11 (2015), 1468–1472
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PolPopOts15}
\by О.~В.~Полищук, В.~В.~Попов, T.~Otsuji
\paper Сверхизлучательное усиление терагерцового излучения при возбуждении плазмонных мод в инвертированном графене с планарным распределенным брэгговским микрорезонатором
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1516--1520
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7439}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195331}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1468--1472
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615110172}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7439
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i11/p1516
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025