Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1521–1530 (Mi phts7440)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO

М. М. Мездрогинаa, М. В. Еременкоa, В. С. Левицкийb, В. Н. Петровa, Е. И. Теруковab, Е. М. Кайдашевc, Н. В. Лянгузовc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
c Южный Федеральный университет, 344090 Ростов-на-Дону, Россия
Аннотация: Исследовано влияние параметров нанесения пленок ZnO на различные материалы подложек при использовании магнетронного распыления на переменном токе в газовой смеси аргона и кислорода. Наблюдалось явление самоорганизации, приводящее к неизменности морфологии поверхности пленок ZnO при варьировании материалов подложки и параметров нанесения. Параметры спектров макро- и микрофотолюминесценции исследованных пленок ZnO незначительно отличались от параметров спектров фотолюминесценции объемных кристаллов ZnO, полученных методом гидротермального роста. Наличие интенсивного излучения с малой величиной FWHM в разных областях спектра дает возможность рассматривать пленки ZnO, полученные магнетронным распылением, легированные РЗИ, как перспективный материал при создании оптоэлектронных приборов, работающих в широком спектральном диапазоне. Возможность реализации магнитного упорядочения при легировании РЗИ существенно расширяет функциональные возможности пленок ZnO.
Параметры спектров фотолюминесценции наностержней ZnO определяются геометрическими параметрами, концентрацией и типом введенных примесей.
Поступила в редакцию: 17.02.2015
Принята в печать: 05.03.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 11, Pages 1473–1482
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615110159
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Мездрогина, М. В. Еременко, В. С. Левицкий, В. Н. Петров, Е. И. Теруков, Е. М. Кайдашев, Н. В. Лянгузов, “Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1521–1530; Semiconductors, 49:11 (2015), 1473–1482
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MezEreLev15}
\by М.~М.~Мездрогина, М.~В.~Еременко, В.~С.~Левицкий, В.~Н.~Петров, Е.~И.~Теруков, Е.~М.~Кайдашев, Н.~В.~Лянгузов
\paper Влияние процессов самоорганизации, дефектов, примесей, а также автокаталитических процессов на параметры пленок и наностержней ZnO
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1521--1530
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7440}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195332}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 11
\pages 1473--1482
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615110159}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7440
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i11/p1521
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025