Температурное тушение спонтанного излучения в туннельно-инжекционных наноструктурах

Измерены спектры спонтанного излучения в ближнем ИК-диапазоне 0.8–1.3 мкм от инвертированных туннельно-инжекционных наноструктур, состоящих из слоя квантовых точек InAs, покрытых слоем квантовой ямы InGaAs через барьерную прослойку GaAs разной толщины (3–9 нм). Исследована температурная зависимость (5–295 K) этого излучения как при оптическом возбуждении (фотолюминесценция), так и в режиме инжекции в $p$–$n$-переходе (электролюминесценция). Показано, что при комнатной температуре токовая накачка наиболее эффективна для инвертированных туннельно-инжекционных наноструктур с тонким барьером (менее 6 нм), когда вершины квантовых точек соединены с квантовой ямой узкими перемычками InGaAs (наномостиками). В этом случае тушение электролюминесценции при нагреве от 5 до 295 К незначительное. Фактор тушения ST интегральной интенсивности $I$ составил: $S_\mathrm{T}=I_5/I_{295}\approx3$. На основе расширенного анализа Аррениуса обсуждаются механизмы температурной стабильности излучения инвертированных туннельно-инжекционных наноструктур.