Динамические характеристики дрейфовых диодов с резким восстановлением на основе 4H-SiC

Экспериментально исследованы динамические характеристики 4H-SiC $p^+$–$p$–$n_0$–$n^+$-диодов в импульсных режимах, характерных для работы дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ). Детально изучен эффект субнаносекундного обрыва обратного тока, поддерживаемого электронно-дырочной плазмой, предварительно накачанной импульсом прямого тока. Показано и объяснено влияние на ДДРВ-эффект амплитуды импульсов обратного напряжения, амплитуды и длительности импульсов прямого тока, временной задержки обратного импульса относительно прямого.