Исследование влияния дизайна активной области монолитных многоцветных светодиодных гетероструктур на спектры и эффективность их излучения

Исследованы конструктивные особенности светодиодных гетероструктур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с монолитной InGaN/GaN активной областью, содержащей несколько квантовых ям InGaN, излучающих при различных длинах волн. Продемонстрирована возможность увеличения количества полос излучения до трех за счет увеличения числа осажденных InGaN квантовых ям с различным содержанием индия. Падение эффективности с увеличением числа КЯ в области высоких токов составляет приблизительно 30%. Изучены зависимости оптических свойств гетероструктур в зависимости от числа осажденных квантовых ям и типов барьеров между ними (слой GaN или короткопериодная InGaN/GaN сверхрешетка). Показано, что отношение интенсивностей линий излучения изменяется в широких пределах с изменением тока через структуру и сильно зависит от типа и толщины барьеров между квантовыми ямами.