Концепции создания монолитных метаморфных вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм

Предложены возможные концепции реализации длинноволновых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300–1550 нм на подложках GaAs. Показана возможность формирования методом молекулярно-пучковой эпитаксии метаморфной гетероструктуры GaAs–InGaAs с тонким буферным слоем, обеспечивающим быстрый переход от постоянной решетки подложки GaAs к постоянной решетки эпитаксиального метаморфного слоя In$_x$Ga$_{1-x}$As с долей индия $x>$ 0.3. Исследования методами просвечивающей электронной микроскопии показали эффективную локализацию дислокаций несоответствия в области тонкого буферного слоя и практически полное подавление проникновения дислокаций в вышележащий метаморфный слой InGaAs.