|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 11, страницы 1578–1582
(Mi phts7449)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика полупроводниковых приборов
Динамика рекомбинации носителей в полупроводниковой лазерной структуре
Р. И. Джиоевa, К. В. Кавокинab, Ю. Г. Кусраевa, Н. К. Полетаевa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Методом оптической ориентации исследована динамика рекомбинации носителей заряда в активном слое лазерной диодной структуры при комнатной температуре. Зависимость степени оптической ориентации электронных спинов от плотности накачки объясняется насыщением каналов безызлучательной рекомбинации. Определено время захвата неравновесных электронов на центры рекомбинации ($\tau_e$ = 5 $\cdot$ 10$^{-9}$ с). Приводится оценка температуры неравновесных электронов при нагреве излучением He–Ne-лазера.
Поступила в редакцию: 29.04.2015 Принята в печать: 06.05.2015
Образец цитирования:
Р. И. Джиоев, К. В. Кавокин, Ю. Г. Кусраев, Н. К. Полетаев, “Динамика рекомбинации носителей в полупроводниковой лазерной структуре”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1578–1582; Semiconductors, 49:11 (2015), 1531–1535
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7449 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i11/p1578
|
|