|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1585–1592
(Mi phts7450)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.
Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах
А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийa, В. А. Козловab, Е. В. Волковаa, Д. Г. Павельевa a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Проведен анализ процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при попадании быстрого нейтрона в область пространственного заряда полупроводникового диода. Рассчитан импульс тока, формируемый вторичными электронами, и определен спектр сигнала, генерируемого диодом (детектором) при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления. Обсуждается возможность экспериментального детектирования радиационно-индуцированных переходных процессов пикосекундной длительности.
Поступила в редакцию: 22.04.2015 Принята в печать: 15.05.2015
Образец цитирования:
А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, Е. В. Волкова, Д. Г. Павельев, “Высокочастотное детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в полупроводниковых структурах”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1585–1592; Semiconductors, 49:12 (2015), 1537–1544
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7450 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i12/p1585
|
|