Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1605–1611 (Mi phts7453)  
XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

О роли отрицательных эффективных масс в формировании проводимости полупроводниковых сверхрешеток

Ю. Ю. Романоваab

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (201 kB)
Аннотация: Исследуются условия формирования статической и высокочастотной отрицательных проводимостей полупроводниковых сверхрешеток с различной долей области отрицательных эффективных масс в мини-зоне. Показано, что уменьшение доли отрицательной массы ведет к расширению областей отрицательной как дифференциальной, так и абсолютной проводимости сверхрешетки и появлению дополнительных областей неустойчивости гармонического поля. В результате развития статической неустойчивости в сверхрешетке, помещенной в разомкнутую по статическому току внешнюю цепь, возможна генерация как целочисленно, так и дробно квантованных статических полей.
Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 22.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 12, Pages 1557–1563
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615120167
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Ю. Романова, “О роли отрицательных эффективных масс в формировании проводимости полупроводниковых сверхрешеток”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1605–1611; Semiconductors, 49:12 (2015), 1557–1563
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Rom15}
\by Ю.~Ю.~Романова
\paper О роли отрицательных эффективных масс в формировании проводимости полупроводниковых сверхрешеток
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 12
\pages 1605--1611
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7453}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195345}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 12
\pages 1557--1563
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615120167}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7453
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i12/p1605
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025