Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1619–1622 (Mi phts7455)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами

И. В. Самарцевa, В. Я. Алешкинb, Н. В. Дикареваa, А. А. Дубиновbc, Б. Н. Звонковa, Д. А. Колпаковa, С. М. Некоркинa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 603087 Нижний Новгород, Россия
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (203 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Проведена оптимизация лазерных структур InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами с целью сужения диаграммы направленности излучения. В созданных лазерах расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной $p$–$n$-переходу, уменьшена до 28$^\circ$.
Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 12, Pages 1571–1574
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615120180
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Самарцев, В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, Д. А. Колпаков, С. М. Некоркин, “Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1619–1622; Semiconductors, 49:12 (2015), 1571–1574
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SamAleDik15}
\by И.~В.~Самарцев, В.~Я.~Алешкин, Н.~В.~Дикарева, А.~А.~Дубинов, Б.~Н.~Звонков, Д.~А.~Колпаков, С.~М.~Некоркин
\paper Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 12
\pages 1619--1622
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7455}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195347}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 12
\pages 1571--1574
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615120180}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7455
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i12/p1619
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025