Начальные стадии роста тройных соединений Si–Ge–Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ

Экспериментально определена зависимость критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту пленок Ge$_{1-5x}$Si$_{4x}$Sn$_x$, выращенных на Si(100) методом молекулярно-лучевой эпитаксии в диапазоне температур 150–450$^\circ$C. Данная зависимость имеет немонотонный характер, подобна зависимости критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту при осаждении чистого Ge на Si(100) и обусловлена изменением механизма двумерного роста. Получены зависимости среднего размера, плотности островков, а также отношение высоты островков к их латеральному размеру методами атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии. С увеличением температуры роста от 200 до 400$^\circ$C увеличивается средний размер наноостровков от 4.7 до 23.6 нм.