Плазмонный резонанс в новых металло-полупроводниковых метаматериалах AsSb–AlGaAs

Исследована оптическая экстинкция в металло-полупроводниковом метаматериале на основе матрицы AlGaAs, содержащей хаотические массивы плазмонных нановключений AsSb. Метаматериал был выращен методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Система нановключений различного размера формировалась путем отжига при температурах 400, 500 и 600$^\circ$C. Исследование микроструктуры образцов методом просвечивающей электронной микроскопии показало, что средний размер нановключений для использованных температур отжига составлял 4–7, 5-8 и 6–9 нм соответственно. Экспериментально показано, что массивы наночастиц AsSb в матрице AlGaAs вызывают резонансное поглощение света. Установлено, что параметры обнаруженных в метаматериале плазмонных резонансов практически не зависят от размеров нановключений AsSb. Энергия плазмонного резонанса составила (1.47 $\pm$ 0.01) эВ, а его полная ширина на половине высоты – (0.19 $\pm$ 0.01) эВ.