Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1649–1653 (Mi phts7461)  

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs

А. В. Здоровейщевa, М. В. Дорохинa, П. Б. Деминаa, А. В. Кудринb, О. В. Вихроваa, М. В. Ведьb, Ю. А. Даниловb, И. В. Ерофееваa, Р. Н. Крюковb, Д. Е. Николичевb

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, физический факультет, 603950 Нижний Новгород, Россия
Аннотация: Показана возможность создания в спиновом светоизлучающем диоде InGaAs/GaAs ферромагнитного инжектора на основе сплава CoPt (с составом, близким к эквиатомному), имеющего ярко выраженную перпендикулярную анизотропию намагниченности. Проведено комплексное исследование физических свойств экспериментальных образцов спиновых светоизлучающих диодов. Получена циркулярно-поляризованная электролюминесценция сформированных диодов в нулевом магнитном поле за счет остаточной намагниченности слоев CoPt.
Поступила в редакцию: 15.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 12, Pages 1601–1604
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261512026X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Здоровейщев, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, А. В. Кудрин, О. В. Вихрова, М. В. Ведь, Ю. А. Данилов, И. В. Ерофеева, Р. Н. Крюков, Д. Е. Николичев, “Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1649–1653; Semiconductors, 49:12 (2015), 1601–1604
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZdoDorDem15}
\by А.~В.~Здоровейщев, М.~В.~Дорохин, П.~Б.~Демина, А.~В.~Кудрин, О.~В.~Вихрова, М.~В.~Ведь, Ю.~А.~Данилов, И.~В.~Ерофеева, Р.~Н.~Крюков, Д.~Е.~Николичев
\paper Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 12
\pages 1649--1653
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7461}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195353}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 12
\pages 1601--1604
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261512026X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7461
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i12/p1649
  • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025