Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 12, страницы 1654–1659 (Mi phts7462)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

XIX симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.

Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур

Д. В. Козловab, В. В. Румянцевab, С. В. Морозовab, А. М. Кадыковac, В. С. Варавинd, Н. Н. Михайловde, С. А. Дворецкийde, В. И. Гавриленкоab, F. Teppec

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Laboratoire Charles Coulomb (L2C), Universite Montpellier II, Montpellier, France
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
e Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (224 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Измерены спектры фотопроводимости (ФП) твердых растворов CdHgTe (КРТ) с долей Cd 17 и 19%. Предложена простая модель расчета состояний двухзарядных акцепторов в твердых растворах КРТ, позволяющая удовлетворительно описать наблюдаемые спектры фотопроводимости. Обнаруженные линии в спектрах фотопроводимости узкозонных КРТ структур связаны с переходами между состояниями как заряженного, так и нейтрального акцепторного центра.
Поступила в редакцию: 29.04.2015
Принята в печать: 12.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 12, Pages 1605–1610
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615120106
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1654–1659; Semiconductors, 49:12 (2015), 1605–1610
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozRumMor15}
\by Д.~В.~Козлов, В.~В.~Румянцев, С.~В.~Морозов, А.~М.~Кадыков, В.~С.~Варавин, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий, В.~И.~Гавриленко, F.~Teppe
\paper Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий--ртуть--теллур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 12
\pages 1654--1659
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7462}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195354}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 12
\pages 1605--1610
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615120106}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7462
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i12/p1654
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025