Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe

Исследовано обменное усиление $g$-фактора электронов в перпендикулярных магнитных полях до 12 Тл в квантовых ямах HgTe/CdHgTe шириной 20 нм с полуметаллической зонной структурой. Из анализа температурной зависимости амплитуды осцилляций Шубникова–де-Гааза в слабых полях и вблизи нечетных факторов заполнения уровней Ландау $\nu\le$ 9 определены значения эффективной массы и $g$-фактора электронов на уровне Ферми. Полученные значения сравниваются с теоретическими расчетами, выполненными в одноэлектронном приближении с использованием 8-зонного $\mathrm{kp}$ гамильтониана. Обнаруженная зависимость величины усиления $g$-фактора от концентрации электронов связывается с изменением вкладов дырочно- и электроноподобных состояний в обменные поправки к энергиям уровней Ландау в зоне проводимости.