Электронная проводимость в пленках селенида и теллурида германия при ионной имплантации висмутом

Исследовано легирование пленок GeTe и GeSe висмутом методом ионной имплантации, и показана возможность изменения типа основных носителей заряда. Ионная имплантация висмута приводит к понижению частот фононных мод, характерных для связей Ge–Те в GeТе и Ge–Sе в GeSe. Установление электронной проводимости сопровождается структурной реконструкцией аморфной матрицы, что проявляется в спектрах комбинационного рассеяния в подавлении колебательных мод, обусловленных гомополярными связями германия в GeТе и селена в GeSe.