Температурные зависимости интенсивностей фотолюминесценции центров в кремнии, имплантированном ионами эрбия и кислорода

Исследована низкотемпературная фотолюминесценция в кристаллах $n$-Cz–Si после последовательной имплантации ионов эрбия при повышенной температуре и ионов кислорода при комнатной температуре. В спектрах фотолюминесценции наблюдаются так называемые $X$- и $W$-центры, сформированные из собственных межузельных атомов кремния, $H$- и $P$-центры, содержащие атомы кислорода, и Er-центр, содержащий ионы Er$^{3+}$. Определены энергии возгорания и гашения фотолюминесценции для этих центров. Для $X$- и $H$-центров энергии определены впервые. В случае $P$- и Er-центров значения энергий практически совпадают с литературными данными. Для $W$-центров энергии гашения и возгорания интенсивности фотолюминесценции зависят от условий их образования.