Проводимость по локализованным состояниям системы твердых растворов (TlInSe$_2$)$_{1-x}$(TlGaTe$_2$)$_x$

Изучены температурные зависимости электрической проводимости по локализованным состояниям, в области растворимости смешанных кристаллов составов (TlInSe$_2$)$_{1-x}$(TlGaTe$_2$)$_x$ при $x$ = 0, 0.1, 0.2, 0.8, 0.9, 1. Установлено, что в этой системе имеет место прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Определена энергия активации проводимости, оценены плотность состояния в окрестности уровня Ферми, их разброс, радиус локализации, среднее расстояние прыжков носителей для всех составов и построены концентрационные зависимости рассчитанных параметров.