Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника CdSe в области низких температур

В области температур $T$ = 4.2–300 K выполнены измерения спонтанной поляризации нестехиометрических образцов CdSe, выращенных методом сублимации при 1423 K и подвергнутых отжигу в парах селена. По этим даным рассчитаны температурные зависимости пироэлектрического коэффициента в CdSe. Обнаружены аномалии в областях $T<$ 10 K и $T>$ 210 K. Изменение зарядового состояния дефектной подсистемы образцов, вызванное слабым электрическим полем, привело к усилению аномалий и появлению новой аномалии при $T$ = 236 K. Как правило, аномалии при $T<$ 10 K и $T$ = 236 K зависят от полярности внешнего воздействия. Шунтирующее действие собственной проводимости образца проявляется только в области выше 270 K. Исследования образца неполярного среза приводят к несколько неожиданным результатам: аномалии сохраняются, но их величины значительно уменьшаются. В рамках кристаллофизического подхода предприняты попытки объяснить аномалии, наблюдаемые ниже 270 K, как за счет ассоциатов, обладающих дипольным моментом, так и трансформацией последних с возможным участием неконтролируемой примеси кислорода в макрообразования типа кластера, ориентация суммарного дипольного момента которого не совпадает с полярным направлением идеального кристалла.