Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 11–14 (Mi phts7476)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Об использовании методов позитронной аннигиляционной спектроскопии к изучению радиационно-стимулированных процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках

Т. С. Кавецкийa, В. М. Цмоцьa, О. Шаушаb, А. Л. Степановcd

a Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, 82100 Дрогобыч, Украина
b Институт физики Словацкой академии наук, 84511 Братислава, Словакия
c Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН, 420029 Казань, Россия
d Казанский (Приволжский) федеральный университет, 420008 Казань, Россия
PDF полного текста (218 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Исследованы необлученные и $\gamma$-облученные (средняя энергия $E$ = 1.25 МэВ, доза $\Phi$ = 2.41 МГр) халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) As$_2$S$_3$ и Ge$_{15.8}$As$_{21}$S$_{63.2}$ с помощью измерений временного распределения аннигиляционных фотонов (ВРАФ) и доплеровского уширения аннигиляционной линии с энергией 0.511 МэВ (ДУАЛ). Применялись два источника позитронов $^{22}$Na, имеющих активности 0.6 и 2.0 МБк и толщины каптоновой пленки 8.0 и 25.0 мкм. Показано, что в данных типах ХСП обнаруженные радиационно-индуцированные изменения параметров ВРАФ находятся в пределах экспериментальной погрешности измерений. Метод ДУАЛ оказался более эффективным и точным для изучения радиационно- стимулированных процессов в ХСП.
Поступила в редакцию: 08.04.2013
Принята в печать: 17.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 1, Pages 9–12
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614010151
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. С. Кавецкий, В. М. Цмоць, О. Шауша, А. Л. Степанов, “Об использовании методов позитронной аннигиляционной спектроскопии к изучению радиационно-стимулированных процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 11–14; Semiconductors, 48:1 (2014), 9–12
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KavTsmSau14}
\by Т.~С.~Кавецкий, В.~М.~Цмоць, О.~Шауша, А.~Л.~Степанов
\paper Об использовании методов позитронной аннигиляционной спектроскопии к изучению радиационно-стимулированных процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 11--14
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7476}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310685}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 9--12
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614010151}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7476
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p11
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025