Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD

Изучены МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе тройных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As, полученные в области составов с $x\approx$ 0.20–0.50 и легированные в высоких концентрациях атомами фосфора и кремния. Использование методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии, рентгеновского микроанализа, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии показало, что выращенные эпитаксиальные пленки представляют собой пятикомпонентные твердые растворы (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$.