Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 32–35 (Mi phts7479)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом

Е. А. Европейцев, Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, А. А. Торопов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (250 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$/А$^{\mathrm{II}}$В$^{\mathrm{VI}}$ : Mn с высокой концентрацией дырок в двумерном канале AlGaAs:Be/GaAs/AlGaAs, расположенном в непосредственной близости от гетеровалентного интерфейса AlGaAs/Zn(Mn)Se. Несмотря на снижение концентрации дырок в GaAs-канале при уменьшении расстояния между каналом и гетеровалентным интерфейсом, концентрация дырок достигает 1.5 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$ при температуре 300 K даже при минимальном расстоянии 1.2 нм. С помощью глубинного профилирования методом динамической масс-спектроскопии вторичных ионов подтверждена обратная диффузия Mn из ZnMnSe в А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ часть. Сочетание высокой концентрации дырок и наличия магнитных ионов марганца в GaAs-канале проводимости определяет интерес к разработанным структурам как возможным объектам исследования эффектов магнитного упорядочения в гетерогенных полупроводниковых системах.
Поступила в редакцию: 28.05.2013
Принята в печать: 04.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 1, Pages 30–33
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614010126
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Европейцев, Г. В. Климко, Т. А. Комиссарова, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 32–35; Semiconductors, 48:1 (2014), 30–33
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EvrKliKom14}
\by Е.~А.~Европейцев, Г.~В.~Климко, Т.~А.~Комиссарова, И.~В.~Седова, С.~В.~Сорокин, С.~В.~Гронин, Д.~Ю.~Казанцев, Б.~Я.~Бер, С.~В.~Иванов, А.~А.~Торопов
\paper Транспортные параметры и оптические свойства селективно-легированных гетеровалентных структур Ga(Al)As/Zn(Mn)Se с двумерным дырочным каналом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 32--35
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7479}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310688}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 30--33
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614010126}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7479
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p32
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025