Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/ Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса

Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии квантовых точек InAs в матрице Al$_{0.35}$Ga$_{0.65}$As в зависимости от температуры подложки, скорости осаждения и количества осажденного InAs. Определены оптимальные условия для получения массива самоорганизующихся квантовых точек с низкой плотностью ($\le$ 2 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$) и малыми размерами (высота менее 4 нм). Продемонстрирована возможность формирования оптически активных квантовых точек InAs, излучающих в диапазоне энергий 1.3–1.4 эВ, на расстоянии не более 10 нм от когерентного гетеровалентного интерфейса GaAs/ZnSe. Установлено, что вставка в верхний барьерный слой AlGaAs оптически неактивной квантовой ямы GaAs (5 нм), туннельно-связанной с квантовыми точками InAs, улучшает эффективность фотолюминесценции массива квантовых точек в гибридных гетероструктурах.