Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 44–48 (Mi phts7481)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния

А. В. Ершов, Д. А. Павлов, Д. А. Грачев, А. И. Бобров, И. А. Карабанова, И. А. Чугров, Д. И. Тетельбаум

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного среза исследованы структурно-морфологические свойства нанопериодических структур, полученных поочередным испарением в вакууме SiO и ZrO$_2$ с последующим отжигом при температурах 500–1100$^\circ$C. До 700$^\circ$C включительно слои были аморфными. При 900 и 1000$^\circ$C в слоях ZrO$_2$ образовывались нанокристаллы, разделенные двойниковыми границами либо аморфными областями. Формирование нанокристаллов кремния в слоях SiO$_x$ происходит после отжигов при 1000 и 1100$^\circ$C. При 1100$^\circ$C на местах слоев ZrO$_2$ формируются сферические нанокристаллы типа Si$_x$Zr$_y$O$_z$ с диаметрами, превышающими толщину исходных слоев, вследствие реакции между SiO$_x$ и ZrO$_2$. Структурная эволюция при отжигах согласуется с рассмотренным ранее поведением оптических и люминесцентных свойств системы.
Поступила в редакцию: 12.03.2013
Принята в печать: 26.03.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 1, Pages 42–45
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614010114
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Ершов, Д. А. Павлов, Д. А. Грачев, А. И. Бобров, И. А. Карабанова, И. А. Чугров, Д. И. Тетельбаум, “Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 44–48; Semiconductors, 48:1 (2014), 42–45
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ErsPavGra14}
\by А.~В.~Ершов, Д.~А.~Павлов, Д.~А.~Грачев, А.~И.~Бобров, И.~А.~Карабанова, И.~А.~Чугров, Д.~И.~Тетельбаум
\paper Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 44--48
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7481}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310690}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 42--45
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614010114}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7481
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p44
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025