Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 49–54 (Mi phts7482)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Углеродные системы

Энергетические щели в плотности состояний буферного слоя графена на карбиде кремния: учет неоднородности связей слой–подложка

С. Ю. Давыдовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (213 kB) Список цитирования (12)
Аннотация: В диагональном приближении получены функция Грина и плотность состояний эпитаксиального графена, образованного на поверхности полупроводника. Подробно рассматривается буферный слой графена на карбиде кремния. Предполагается, что в буферном слое имеются два вида состояний, слабо и сильно связанные с субстратом. Показано, что если в плотности состояний буферного слоя имеет место энергетическая щель, то ее существование и ширина определяются состояниями слабой связи графен-подложка.
Поступила в редакцию: 15.04.2013
Принята в печать: 15.05.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 48, Issue 1, Pages 46–52
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614010084
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Энергетические щели в плотности состояний буферного слоя графена на карбиде кремния: учет неоднородности связей слой–подложка”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 49–54; Semiconductors, 48:1 (2015), 46–52
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav14}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Энергетические щели в плотности состояний буферного слоя графена на карбиде кремния: учет неоднородности связей слой--подложка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 49--54
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7482}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310691}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 48
\issue 1
\pages 46--52
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614010084}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7482
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p49
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025