Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 55–60 (Mi phts7483)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN

В. В. Лундинa, А. Е. Николаевab, А. В. Сахаровab, С. О. Усовa, Е. Е. Заваринab, П. Н. Брунковb, М. А. Яговкинаb, Н. А. Черкашинc, А. Ф. Цацульниковab

a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), 31055 Toulouse, France
PDF полного текста (1356 kB) Список цитирования (9) Английская версия
Аннотация: Исследованы A$^{\mathrm{III}}$N светодиодные структуры синего диапазона с активными областями на основе InGaN-наноостровков. Структуры были выращены методом МОС-гидридной эпитаксии на слоях GaN, выращенных с использованием различных методов начального формирования эпитаксиального слоя. Показано, что благодаря высокой локализации носителей в узкозонных InGaN-наноостровках эффективность электролюминесценции не зависит от плотности дислокаций и кристаллического совершенства материала.
Поступила в редакцию: 23.05.2013
Принята в печать: 04.06.2013
Английская версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 1, Pages 53–57
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614010199
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. В. Сахаров, С. О. Усов, Е. Е. Заварин, П. Н. Брунков, М. А. Яговкина, Н. А. Черкашин, А. Ф. Цацульников, “О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 55–60; Semiconductors, 48:1 (2014), 53–57
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LunNikSak14}
\by В.~В.~Лундин, А.~Е.~Николаев, А.~В.~Сахаров, С.~О.~Усов, Е.~Е.~Заварин, П.~Н.~Брунков, М.~А.~Яговкина, Н.~А.~Черкашин, А.~Ф.~Цацульников
\paper О зависимости эффективности A$^{\mathrm{III}}$N светодиодов синего диапазона от структурного совершенства буферных эпитаксиальных слоев GaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 55--60
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7483}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310692}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 53--57
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614010199}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7483
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p55
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:59
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026