|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 61–66
(Mi phts7484)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов
И. П. Смирноваab, Л. К. Марковab, А. С. Павлюченкоab, М. В. Кукушкинbc, С. И. Павловa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c ЗАО "Инновационная фирма "ТЕТИС"", 194156 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследованы структурные, оптические и электрические свойства пленок оксида индия и олова (ITO), полученных электронно-лучевым испарением, магнетронным напылением и комбинированным способом. Показано, что, несмотря на высокую прозрачность электронно-лучевых пленок ITO в видимом диапазоне, их проводимость и показатель преломления заметно ниже аналогичных параметров для пленок ITO, полученных методом магнетронного напыления. Разработана технология создания двухслойных систем способом, комбинирующим эти два метода нанесения. В результате получены пленки, которые обладают преимуществами магнетронных слоев и могут быть применены в качестве контактных слоев к области $p$-GaN в светодиодах синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов.
Поступила в редакцию: 28.05.2013 Принята в печать: 04.06.2013
Образец цитирования:
И. П. Смирнова, Л. К. Марков, А. С. Павлюченко, М. В. Кукушкин, С. И. Павлов, “Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 61–66; Semiconductors, 48:1 (2014), 58–62
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7484 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p61
|
|