MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии была выращена наногетероструктура In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs cо ступенчатым метаморфным буфером на подложке GaAs. Среднеквадратичное значение шероховатости поверхности составило 3.1 нм. На данной наногетероструктуре был изготовлен MHEMT транзистор c зигзагообразным затвором длиной 46 нм, для которого предельные частоты усиления по току и по мощности составили $f_T$ = 0.13 TГц и $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 TГц соответственно.