Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 81–87 (Mi phts7488)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с

С. А. Блохинab, Л. Я. Карачинскийab, И. И. Новиковab, А. С. Паюсовa, А. М. Надточийa, М. А. Бобровab, А. Г. Кузьменковab, Н. А. Малеевab, Н. Н. Леденцовac, В. М. Устиновa, Д. Бимбергd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b ООО "Коннектор Оптикс", 194292 Санкт-Петербург, Россия
c VI Systems GmbH, D-10623 Berlin, Germany
d Technische Universität Berlin, D-10623 Berlin, Germany
PDF полного текста (1343 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Созданы и исследованы эффективные быстродействующие вертикально-излучающие лазеры (ВИЛ) спектрального диапазона 850 нм, перспективные для создания оптических межсоединений со скоростью передачи данных 25 Гбит/с на канал. Лазеры с диаметром селективно-окисленной токовой апертуры 6 мкм демонстрируют многомодовую генерацию с квантовой эффективностью 35–45% и пороговым током 0.5–0.7 мА в диапазоне температур 20–85$^\circ$C. Согласно малосигнальному частотному анализу, максимальная частота модуляции лазеров превышает 17 ГГц при скорости нарастания с током более 9 ГГц/мА$^{1/2}$, что позволяет обеспечить функционирование ВИЛ со скоростью 25 Гбит/с во всем рабочем диапазоне температур. По результатам 3000 ч ресурсных испытаний внезапной деградации вертикально-излучающих лазеров не выявлено. Изменение величины оптической мощности в рабочей точке и порогового тока вертикально-излучающих лазеров относительно момента начала испытаний не превысило 5 и 10% соответственно.
Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 1, Pages 77–82
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614010072
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Блохин, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. С. Паюсов, А. М. Надточий, М. А. Бобров, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, Д. Бимберг, “Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 81–87; Semiconductors, 48:1 (2014), 77–82
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BloKarNov14}
\by С.~А.~Блохин, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, А.~С.~Паюсов, А.~М.~Надточий, М.~А.~Бобров, А.~Г.~Кузьменков, Н.~А.~Малеев, Н.~Н.~Леденцов, В.~М.~Устинов, Д.~Бимберг
\paper Надежные вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм для оптической передачи данных на скорости 25 Гбит/с
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 81--87
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7488}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310698}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 77--82
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614010072}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7488
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p81
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025