Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 100–103 (Mi phts7491)  
Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм

П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков

Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия
PDF полного текста (185 kB)
Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены гетероструктуры в системе материалов AlGaInAs/InP с различными вариантами геометрии активной области. Из полученных гетероструктур изготовлены лазерные диоды; с целью повышения выходной оптической мощности применен подход интеграции лазерных диодов в линейки и решетки. Одиночные лазерные диоды показали выходную мощность в импульсном режиме $\sim$ 6 Вт. Лазерные линейки продемонстрировали выходную мощность 20 Вт в импульсном режиме. Максимальная достигнутая импульсная выходная оптическая мощность на решетке из 30 элементов составила $\sim$ 110 Вт.
Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 1, Pages 95–98
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261401014X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 100–103; Semiconductors, 48:1 (2014), 95–98
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorRyaMar14}
\by П.~В.~Горлачук, Ю.~Л.~Рябоштан, А.~А.~Мармалюк, В.~Д.~Курносов, К.~В.~Курносов, О.~В.~Журавлева, В.~И.~Романцевич, Р.~В.~Чернов, А.~В.~Иванов, В.~А.~Симаков
\paper Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 1.5--1.6 мкм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 100--103
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7491}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310701}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 95--98
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261401014X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7491
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p100
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025