Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 109–113 (Mi phts7493)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs на длине волны 808 нм

В. В. Безотосный, В. А. Олещенко, Е. А. Чешев

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (414 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Экспериментально исследованы выходные параметры мощных лазерных диодов на длине волны 808 нм, изготовленных на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs и забракованных по результатам первоначальных измерений. Найдены методы восстановления их излучательных параметров до уровня лучших образцов. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых явлений.
Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 1, Pages 104–108
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614010059
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Безотосный, В. А. Олещенко, Е. А. Чешев, “Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs на длине волны 808 нм”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 109–113; Semiconductors, 48:1 (2014), 104–108
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BezOleChe14}
\by В.~В.~Безотосный, В.~А.~Олещенко, Е.~А.~Чешев
\paper Исследование эффекта восстановления излучательных параметров мощных лазерных диодов на основе напряженных гетероструктур GaAsP/AlGaAs/GaAs на длине волны 808 нм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 109--113
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7493}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310703}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 104--108
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614010059}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7493
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p109
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025