Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 114–119 (Mi phts7494)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Предельные параметры мощных однополосковых лазерных диодов диапазона 800–808 нм в импульсном режиме

В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (378 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Представлены экспериментальные результаты исследования выходных параметров мощных непрерывных лазерных диодов, работающих в импульсном режиме, и результаты численного моделирования полного кпд лазерных диодов с длиной резонатора 3 и 4 мм в широком диапазоне токов накачки. Изучены спектральные параметры мощных ЛД при различной частоте следования импульсов. Обсуждаются возможные причины ограничения выходной мощности в импульсном режиме работы.
Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 1
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614010060
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Безотосный, В. Ю. Бондарев, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко, В. Ф. Певцов, Ю. М. Попов, Е. А. Чешев, “Предельные параметры мощных однополосковых лазерных диодов диапазона 800–808 нм в импульсном режиме”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 114–119
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BezBonKro14}
\by В.~В.~Безотосный, В.~Ю.~Бондарев, О.~Н.~Крохин, В.~А.~Олещенко, В.~Ф.~Певцов, Ю.~М.~Попов, Е.~А.~Чешев
\paper Предельные параметры мощных однополосковых лазерных диодов диапазона 800--808 нм в импульсном режиме
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 114--119
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7494}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310704}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7494
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p114
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025