Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 1, страницы 120–124 (Mi phts7495)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Материалы 3-го Симпозиума "Полупроводниковые лазеры: физика и технология"

Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

А. А. Мармалюк, А. Ю. Андреев, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. С. Мешков, А. Н. Морозюк, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, В. А. Симаков, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая

Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, 117342 Москва, Россия
PDF полного текста (193 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии получены лазерные гетероструктуры AlGaAs/GaAs с различной геометрией активной области: с расширенным асимметричным и узким симметричным волноводами, различной глубиной квантовых ям. Из полученных образцов были изготовлены одиночные лазерные элементы, линейки и решетки лазерных диодов, и исследованы их выходные характеристики. Показано, что геометрия структуры с узким волноводом является более предпочтительной для линеек лазерных диодов ($\lambda$ = 808 нм). Повышение барьера для носителей также благоприятно сказывается на выходных параметрах линеек в случае гетероструктур с узким симметричным волноводом, наклон ВтАХ для этих структур вырос с 0.9 Вт/А до 1.05 Вт/А. Решетка лазерных диодов 5 $\times$ 5 мм, собранная на основе лучшей гетероструктуры, продемонстрировала в квазинепрерывном режиме работы выходную мощность свыше 1500 Вт при токе накачки 150 А.
Поступила в редакцию: 01.06.2013
Принята в печать: 16.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 1, Pages 115–119
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614010205
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Мармалюк, А. Ю. Андреев, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. С. Мешков, А. Н. Морозюк, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, В. А. Симаков, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, “Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 120–124; Semiconductors, 48:1 (2014), 115–119
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarAndKon14}
\by А.~А.~Мармалюк, А.~Ю.~Андреев, В.~П.~Коняев, М.~А.~Ладугин, Е.~И.~Лебедева, А.~С.~Мешков, А.~Н.~Морозюк, С.~М.~Сапожников, А.~И.~Данилов, В.~А.~Симаков, К.~Ю.~Телегин, И.~В.~Яроцкая
\paper Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 120--124
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7495}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310705}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 1
\pages 115--119
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614010205}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7495
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i1/p120
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025