Оптическое поглощение ванадия в монокристаллах ZnSe

Исследованы монокристаллы ZnSe : V, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий фотонов 0.4–3 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация ванадия в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnSe : V в видимой и ифракрасной областях спектра. Диффузионный профиль примеси ванадия определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии ванадия в кристаллах ZnSe при температурах 1120–1320 K; при 1320 K коэффициент диффузии ванадия составляет 10$^{-9}$ см$^2$/с.