Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$ с примесью EuF$_3$

Исследованиями температурной зависимости темновой проводимости и стационарной фотопроводимости, люксамперной характеристики, а также спектрального распределения фототока предложен энергетический спектр локальных состояний, связанных с заряженными дефектами $D^-$ и $D^+$, играющими существенную роль в процессах генерации и рекомбинации носителей заряда в халькогенидной стеклообразной полупроводниковой системе Se$_{95}$As$_5$, содержащей примеси ЕuF$_3$. Показано, что примеси ЕuF$_3$ немонотонно изменяют концентрации указанных состояний: малые концентрации из-за химической активности ионов редкоземельного элемента и фтора, образуют химическое соединение с селеном и мышьяком, в результате чего уменьшается концентрация исходных собственных дефектов, а большие концентрации, согласно модели заряженных дефектов, в результате присутствия ионов Еu$^{3+}$ приводят к уменьшению концентрации $D^+$-центров и к росту $D^-$-центров. Оценены некоторые параметры модели заряженных дефектов, в частности величина эффективной корреляционной энергии $U_{\mathrm{eff}}$ (0.6 эВ) и энергия поляронной релаксации $W^+$ (0.4 эВ), $W^-$ (0.45 эВ).