Исследования кинетики неравновесных носителей в полупроводнике по среднему значению фотопроводимости при периодическом оптическом возбуждении

Проведены теоретические и экспериментальные исследования среднего значения неравновесной концентрации свободных носителей в полупроводнике при периодическом оптическом возбуждении. Обнаружена зависимость среднего значения концентрации свободных носителей (средней запасенной энергии) от частоты модуляции возбуждающего излучения при постоянной средней интенсивности возбуждения. Установлены закономерности поведения среднего значения фотопроводимости от частоты модуляции возбуждающего излучения в зависимости от закона рекомбинации. Предложен новый метод определения закона рекомбинации в полупроводнике, не зависящий в ряде случаев от формы импульсов света. Полученные выводы могут быть использованы для изучения релаксационных процессов другой природы.