Электрон-фононные процессы в полупроводниках при низких температурах

Проанализированы результаты совместного исследования теплопроводности и термоэдс в полупроводниках: HeSe, HgTe, InP, GaAs, Cd$_x$H$_{1-x}$Te и Ag$_2$S, в которых при низких температурах $T$ был обнаружен эффект увлечения электронов фононами. Получено, что в зависимостях $K_{\mathrm{ph}}\propto T^{-x}x$ = 1–3. Установлено, что заниженные значения $x$ обусловлены рассеянием фононов на определенных дефектах. Также обнаружено, что во всех исследованных кристаллах, кроме Ag$_2$S, максимумы $K_{\mathrm{ph}}(T)$ и $\alpha_{\mathrm{ph}}(T)$ совпадают. Впервые обнаружено, что в Ag$_2$S наблюдается сильный эффект $\alpha_{\mathrm{ph}}\propto T^{-3}$, максимум $\alpha_{\mathrm{ph}}$ происходит при $T$ = 16 K, а максимум $K_{\mathrm{ph}}$ при 27 K. Установлено, что полученные результаты находятся в согласии с теорией Каллавея и Герринга. Впервые рассмотрено влияние магнитного поля на термоэдс увлечения $\alpha_{\mathrm{ph}}(T)$ в $n$-Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, в котором обнаружен большой эффект $\alpha_{\mathrm{ph}}\propto T^{-3}$ и сильное влияние на него магнитного поля. Результаты сопоставлены с теорией Аскерова. Определен параметр силы $A_{\mathrm{ph}}(\varepsilon)$ эффекта увлечения и его зависимость от магнитного поля.