Комбинационное рассеяние света в пленках PbTe и PbSnTe: фазовые трансформации in situ в процессе измерений

Пленки PbTe и Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te, как нелегированные, так и легированные индием, исследованы с применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света. Обнаружено, что поверхность пленок меняется в процессе записи спектров. Из сравнительного анализа полученных нами и литературных данных предположено, что пики при 90, 117 и 138 см$^{-1}$ связаны с комбинационным рассеянием света на выделениях теллура или оксида теллура. Установлено, что эти пики появляются в пленках Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te и в пленках PbTe только при легировании индием. Пик при 180 см$^{-1}$ наблюдается в спектрах всех образцов и не связан с плазмон-фононной модой, природа его до конца не ясна.