Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2, страницы 196–202 (Mi phts7509)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Массоперенос в приповерхностных слоях GaAs под воздействием излучения миллиметровых волн малой мощности

Т. А. Брянцеваa, Д. В. Любченкоb, В. Е. Любченкоa, И. А. Марковa, Р. И. Марковa

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Россия
b Aalto University, P.O. Box 3000, Espoo, Finland
PDF полного текста (368 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Проведено исследование процессов массопереноса по результатам химического анализа приповерхностных слоев арсенида галлия после облучения поверхности GaAs электромагнитными волнами малой мощности 13–25 мВт при частоте 75 ГГц. Показано, что под воздействием излучения изменяются электромеханические напряжения на поверхности GaAs и возникают процессы релаксации с участием массопереноса заряженных частиц. В результате облучения выпадают островки на основе раствора (Ga + As) или соединения GaAs и изменяется изгиб поверхности базисного GaAs. Массоперенос при этом определяется дрейфом заряженных частиц под воздействием электрического напряжения и скоростью поверхностной самодиффузии под действием механических напряжений.
Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 22.05.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 2, Pages 184–190
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614020067
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. А. Брянцева, Д. В. Любченко, В. Е. Любченко, И. А. Марков, Р. И. Марков, “Массоперенос в приповерхностных слоях GaAs под воздействием излучения миллиметровых волн малой мощности”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 196–202; Semiconductors, 48:2 (2014), 184–190
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BryLyuLyu14}
\by Т.~А.~Брянцева, Д.~В.~Любченко, В.~Е.~Любченко, И.~А.~Марков, Р.~И.~Марков
\paper Массоперенос в приповерхностных слоях GaAs под воздействием излучения миллиметровых волн малой мощности
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 196--202
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7509}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310719}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 184--190
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614020067}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7509
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i2/p196
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025