Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2, страницы 203–206 (Mi phts7510)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Особенности перестройки с ростом уровня возбуждения спектров экситонной катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe

Э. А. Сенокосовa, В. И. Чукитаa, И. Н. Одинb, М. В. Чукичевc

a Приднестровский государственный университет им. Т. Г. Шевченко, физико-математический факультет, Тирасполь MD-3300, Приднестровская Молдавская республика
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет, 119991 Москва, Россия
c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (212 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Исследованы особенности перестройки с ростом уровня возбуждения в спектрах катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe. Показано, что с ростом плотности тока возбуждения происходит следующая перестройка в спектрах при 78 K: линия А-экситона – полосы невырожденной электронно-дырочной плазмы и полосы вырожденной электронно-дырочной плазмы.
Поступила в редакцию: 18.04.2013
Принята в печать: 23.05.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 2, Pages 191–194
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614020237
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. А. Сенокосов, В. И. Чукита, И. Н. Один, М. В. Чукичев, “Особенности перестройки с ростом уровня возбуждения спектров экситонной катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 203–206; Semiconductors, 48:2 (2014), 191–194
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SenChuOdi14}
\by Э.~А.~Сенокосов, В.~И.~Чукита, И.~Н.~Один, М.~В.~Чукичев
\paper Особенности перестройки с ростом уровня возбуждения спектров экситонной катодолюминесценции эпитаксиальных слоев CdSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 203--206
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7510}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310720}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 191--194
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614020237}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7510
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i2/p203
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025