Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами

Исследована фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, прошедших обработку низкоэнергетическими ионами. Наблюдался коротковолновый сдвиг максимума спектров фотолюминесценции непосредственно после ионной обработки, объясняемый формированием большой концентрации донорных дефектов и эффектом Бурштейна–Мосса. Изменение формы спектров и, в частности, исчезновение линий, связанных с переходами на акцепторные состояния, свидетельствует о том, что данные дефекты формируются при взаимодействии атомов межузельной ртути, вводимых в образец при обработке, с атомами примесей. При прекращении обработки, по мере распада дефектов концентрация электронов снижается, и сдвиг максимума спектра исчезает, но форма линий остаeтся постоянной. Такое поведение спектров люминесценции может быть использовано для диагностики дефектно-примесной структуры CdHgTe.