Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2, страницы 212–216 (Mi phts7512)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$

А. Н. Михайловa, А. И. Беловa, Д. С. Королевa, А. О. Тимофееваa, В. К. Васильевa, А. Н. Шушуновa, А. И. Бобровa, Д. А. Павловa, Д. И. Тетельбаумa, Е. И. Шекb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (425 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Исследовано влияние дополнительной имплантации примесных ионов С$^+$, О$^+$, В$^+$, Р$^+$ и Ge$^+$ с отжигом при 800$^\circ$С на поведение линии дислокационной фотолюминесценции D1, полученной в образцах кремния путем имплантации ионов Si$^+$ в условиях стабилизации температуры с последующим отжигом в окислительной хлорсодержащей атмосфере. Установлено, что интенсивность линии D1 существенно зависит от типа внедряемых атомов и дозы имплантации. Повышение интенсивности линии D1 наблюдается при имплантации кислорода и бора, тогда как в остальных случаях фотолюминесценция ослабляется. Обсуждаются механизмы такого поведения, в частности роль кислорода и его взаимодействия с имплантируемыми примесями.
Поступила в редакцию: 14.05.2013
Принята в печать: 26.05.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 2, Pages 199–203
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614020183
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. О. Тимофеева, В. К. Васильев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Е. И. Шек, “Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 212–216; Semiconductors, 48:2 (2014), 199–203
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MikBelKor14}
\by А.~Н.~Михайлов, А.~И.~Белов, Д.~С.~Королев, А.~О.~Тимофеева, В.~К.~Васильев, А.~Н.~Шушунов, А.~И.~Бобров, Д.~А.~Павлов, Д.~И.~Тетельбаум, Е.~И.~Шек
\paper Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 212--216
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7512}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310722}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 199--203
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614020183}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7512
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i2/p212
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025