Спектроскопия сечения неупругого рассеяния электронов наногетероструктур Ge$_x$Si$_{1-x}$

Двухкомпонентные структуры Ge$_x$Si$_{1-x}$ (0 $\le x\le$ 1) исследованы методами электронной спектроскопии. Атомный состав структур определен из спектров рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Спектры потерь энергии отраженных электронов получены для серии образцов с разными значениями $x$ при энергии первичных электронов в интервале от 200 до 3000 эВ. Из этих экспериментальных спектров вычислены зависимости произведения средней длины неупругого пробега и дифференциального сечения неупругого рассеяния электронов от потерь энергии электронов. Показано, что количественные характеристики этих зависимостей могут быть использованы для определения атомных концентраций элементов данной системы.