Действие тормозного гамма-нейтронного излучения на параметры индий-селеновых фотопреобразователей

Впервые изучено влияние тормозного гамма-нейтронного облучения (эффективная энергия $E_{\mathrm{eff}}$ = 8 МэВ) флюенсами 10$^{12}$–10$^{13}$ н/см$^2$ на электрические и фотоэлектрические параметры слоистых фотопреобразователей $p$–$n$-InSe. Даже при максимальном флюенсе облучения обнаружены улучшение их вольт-амперных характеристик, рост напряжения холостого хода при незначительном уменьшении тока короткого замыкания. Существенных изменений спектрального контура фотоответа в целом не установлено. В то же время даже начальная стадия облучения вызвала сильную деградацию параметров тестовых кремниевых солнечных элементов. Данный факт позволяет рекомендовать исследуемые фотодиоды для использования в качестве радиационно стойких фотодетекторов.