Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2, страницы 259–264 (Mi phts7522)  
Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии

А. В. Соломоновa, С. А. Тарасовa, Е. А. Меньковичa, И. А. Ламкинa, С. Ю. Куринb, А. А. Антиповb, И. С. Барашb, А. Д. Роенковb, Х. Хелаваb, Ю. Н. Макаровb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
b ГК "Нитридные кристаллы", 194156 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (674 kB) Список цитирования (17)
Аннотация: Представлены результаты работы по созданию и исследованию УФ-светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, полученных на подложках Al$_2$O$_3$ (0001) хлоридно-гидридной эпитаксией. Максимум спектра электролюминесценции находился в диапазоне длин волн 360–365 нм, а его полуширина составила 10–13 нм. При рабочем токе 20 мА оптическая мощность и кпд УФСД имели значения 1.14 мВт и 1.46% соответственно.
Поступила в редакцию: 29.05.2013
Принята в печать: 04.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 2, Pages 245–250
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614020262
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Соломонов, С. А. Тарасов, Е. А. Менькович, И. А. Ламкин, С. Ю. Курин, А. А. Антипов, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров, “Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 259–264; Semiconductors, 48:2 (2014), 245–250
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SolTarMen14}
\by А.~В.~Соломонов, С.~А.~Тарасов, Е.~А.~Менькович, И.~А.~Ламкин, С.~Ю.~Курин, А.~А.~Антипов, И.~С.~Бараш, А.~Д.~Роенков, Х.~Хелава, Ю.~Н.~Макаров
\paper Исследование характеристик ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных методом хлоридно-гидридной эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 259--264
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7522}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310732}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 245--250
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614020262}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7522
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i2/p259
    • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025