Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2, страницы 272–277 (Mi phts7524)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Определение состава многокомпонентных халькогенидных полупроводников методом рентгенофлюоресцентного анализа

Г. А. Бордовскийa, А. В. Марченкоa, А. В. Николаеваa, П. П. Серегинa, Е. И. Теруковbc

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, 191186 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Количественный состав стеклообразных сплавов As$_x$(Ge$_y$Se$_{1-y}$)$_{1-x}$ определялся путем измерения рентгенофлюоресцентного спектра эталонного сплава Ge$_{0.2}$As$_{0.4}$Se$_{0.4}$, из рентгенофлюоресцентных спектров рассчитывались атомные доли мышьяка, германия и селена, а затем строились зависимости $x_{\mathrm{RFA}}=f(x)$ и $y_{\mathrm{RGA}}= f(y)$, которые позволяют определить состав стекол с точностью $\pm$ 0.0005 для $x$ и $y$. Эта методика оказывается эффективной для определения концентрации примеси олова в кристаллических твердых растворах Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se. Однако для стеклообразных сплавов типа Te$_x$(As$_y$Se$_{1-y}$)$_{1-x}$ оказывается невозможным определить содержание теллура в связи с тем, что компоненты сплавов имеют существенно различные рентгеноспектральные характеристики.
Поступила в редакцию: 20.03.2013
Принята в печать: 01.04.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 2, Pages 257–262
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614020055
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. А. Бордовский, А. В. Марченко, А. В. Николаева, П. П. Серегин, Е. И. Теруков, “Определение состава многокомпонентных халькогенидных полупроводников методом рентгенофлюоресцентного анализа”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 272–277; Semiconductors, 48:2 (2014), 257–262
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BorMarNik14}
\by Г.~А.~Бордовский, А.~В.~Марченко, А.~В.~Николаева, П.~П.~Серегин, Е.~И.~Теруков
\paper Определение состава многокомпонентных халькогенидных полупроводников методом рентгенофлюоресцентного анализа
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 272--277
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7524}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310734}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 257--262
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614020055}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7524
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i2/p272
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025