Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 2, страницы 278–282 (Mi phts7525)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Сравнительные фотоэлектрические характеристики наноструктурированных пленок Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se, полученных совместным и послойным осаждением PbSe и SnSe

Х. Н. Мухамедзянов, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия
Аннотация: Проведен сравнительный анализ фотоэлектрических характеристик пленок твердого раствора Pb$_{0.975}$Sn$_{0.025}$Se, полученного совместным гидрохимическим осаждением PbSe и SnSe, и твердого раствора Pb$_{0.902}$Sn$_{0.098}$Se, полученного послойным гидрохимическим осаждением индивидуальных селенидов металлов (SnSe–PbSe–SnSe–PbSe) с их последующей термической обработкой на воздухе при 523–700 K. Показано, что пленки, синтезированные методом послойного осаждения, по своим фотоэлектрическим характеристикам имеют ряд преимуществ перед пленками, полученными соосаждением.
Поступила в редакцию: 24.04.2013
Принята в печать: 04.06.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 2, Pages 263–267
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782614020195
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Х. Н. Мухамедзянов, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, “Сравнительные фотоэлектрические характеристики наноструктурированных пленок Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se, полученных совместным и послойным осаждением PbSe и SnSe”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 278–282; Semiconductors, 48:2 (2014), 263–267
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MukMarMas14}
\by Х.~Н.~Мухамедзянов, В.~Ф.~Марков, Л.~Н.~Маскаева
\paper Сравнительные фотоэлектрические характеристики наноструктурированных пленок Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se, полученных совместным и послойным осаждением PbSe и SnSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 278--282
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7525}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310735}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 2
\pages 263--267
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782614020195}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7525
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i2/p278
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025