|
|
Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 302–307
(Mi phts7529)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Влияние вакансионной катионодефектности на электрические и фотоэлектрические свойства твердого раствора Cu$_{1-x}$Zn$_x$InS$_2$
А. В. Новосадa, В. В. Божкоa, Г. Е. Давидюкa, О. В. Парасюкa, О. Р. Герасимикa, Н. Вайнорюсb, А. Сакавичюсb, В. Янонисb, В. Кажукаускасb a Восточноевропейский национальный университет имени Леси Украинки, 43025 Луцк, Украина
b Вильнюсский университет (Кафедра физики полупроводников и Институт прикладных наук), 10222 Вильнюс, Литва
Аннотация:
Развита технология выращивания монокристаллов твердых растворов Cu$_{1-x}$Zn$_x$InS$_2$ ($x$ = 0 – 12) $n$-типа проводимости. Методом рентгеноструктурного анализа изучен механизм образования твердого раствора. Показано, что монокристаллы имеют структуру халькопирита, причем параметры элементарной ячейки зависят от состава раствора. Исследованы температурная зависимость электропроводимости в интервале температур $T$ = 27–300 K и спектральное распределение фотопроводимости при $T\approx$ 30 K. В монокристаллах CuInS$_2$–ZnIn$_2$S$_4$ с содержанием $\sim$ 8 и $\sim$ 12 мол% ZnIn$_2$S$_4$ обнаружена индуцированная фотопроводимость и исследованы термостимулированные токи.
Поступила в редакцию: 28.03.2013 Принята в печать: 15.04.2013
Образец цитирования:
А. В. Новосад, В. В. Божко, Г. Е. Давидюк, О. В. Парасюк, О. Р. Герасимик, Н. Вайнорюс, А. Сакавичюс, В. Янонис, В. Кажукаускас, “Влияние вакансионной катионодефектности на электрические и фотоэлектрические свойства твердого раствора Cu$_{1-x}$Zn$_x$InS$_2$”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 302–307; Semiconductors, 48:3 (2014), 286–291
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7529 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p302
|
|