Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, выпуск 3, страницы 308–314 (Mi phts7530)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях

А. А. Пручкинаa, Н. С. Николаевa, В. С. Кривобокab, В. С. Багаевa, Е. Е. Онищенкоa, Ю. В. Клевковa, С. А. Колосовa

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
b Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия
PDF полного текста (443 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Продемонстрировано влияние отжига в жидком Cd при температуре 600$^\circ$C на спектры фотолюминесценции поликристаллического CdTe, полученного в условиях быстрой кристаллизации. Показано, что перераспределение точечных дефектов в результате отжига полностью подавляет излучение нестандартных акцепторов с энергиями активации $\sim$ 48, $\sim$ 98 и $\sim$ 120 мэВ, присутствовавшeе в спектрах люминесценции исходных кристаллов, и радикально изменяет структуру излучения в районе 1.2–1.35 эВ, которое связано с протяженными дефектами, вызванными двойникованием. В спектрах фотолюминесценции отожженных поликристаллов доминирует излучение экситон-примесных комплексов с участием водородоподобных доноров и акцептора CuCd. Установлена корреляция между концентрацией протяженных дефектов и интенсивностью длинноволнового излучения в районе 0.8–1.2 эВ.
Поступила в редакцию: 25.05.2013
Принята в печать: 26.05.2013
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2014, Volume 48, Issue 3, Pages 292–298
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261403021X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Пручкина, Н. С. Николаев, В. С. Кривобок, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, Ю. В. Клевков, С. А. Колосов, “Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014), 308–314; Semiconductors, 48:3 (2014), 292–298
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PruNikKri14}
\by А.~А.~Пручкина, Н.~С.~Николаев, В.~С.~Кривобок, В.~С.~Багаев, Е.~Е.~Онищенко, Ю.~В.~Клевков, С.~А.~Колосов
\paper Влияние отжига в жидком кадмии на фотолюминесценцию поликристаллического CdTe, выращенного в неравновесных условиях
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 308--314
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7530}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21310740}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2014
\vol 48
\issue 3
\pages 292--298
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261403021X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7530
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v48/i3/p308
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025